TP65H035WS - GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

codice articolo del costruttore

TP65H035WS

Numero parte interna

AX-TP65H035WS

fabbricante

Transphorm

Breve descrizione

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

33614 Pieces

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Specifiche per TP65H035WS

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TP65H035WS

fabbricante : Transphorm

Descrizione : GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 46.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 12V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 156W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247-3

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TP6 , TP65H

Documenti per TP65H035WS

Schede tecniche : TP65H035WS.pdf

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