SCTWA50N120 - MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-SCTWA50N120
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
22778 Pieces
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Specifiche per SCTWA50N120
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SCTWA50N120
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 20V
Vgs (massimo) : +25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 400V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 318W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : HiP247™
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SCTWA50N120
Schede tecniche : SCTWA50N120.pdf
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