SCTWA50N120 - MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

codice articolo del costruttore

SCTWA50N120

Numero parte interna

AX-SCTWA50N120

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22778 Pieces

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Specifiche per SCTWA50N120

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SCTWA50N120

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 65A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 20V

Vgs (massimo) : +25V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 318W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : HiP247™

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SCT , SCTWA

Documenti per SCTWA50N120

Schede tecniche : SCTWA50N120.pdf

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