RJK1003DPN-E0#T2 - MOSFET N-CH 100V 50A TO220

codice articolo del costruttore

RJK1003DPN-E0#T2

Numero parte interna

AX-RJK1003DPN-E0#T2

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 50A TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

332010 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.84504~~

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Specifiche per RJK1003DPN-E0#T2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RJK1003DPN-E0#T2

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 50A TO220

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4150pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per RJK1003DPN-E0#T2

Schede tecniche : RJK1003DPN-E0#T2.pdf

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