BSB017N03LX3 G - MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON

codice articolo del costruttore

BSB017N03LX3 G

Numero parte interna

AX-BSB017N03LX3 G

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

15776 Pieces

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Specifiche per BSB017N03LX3 G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSB017N03LX3 G

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 32A (Ta), 147A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 57W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Pacchetto / caso : 3-WDSON

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSB0 , BSB017N

Documenti per BSB017N03LX3 G

Schede tecniche : BSB017N03LX3 G.pdf

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