APT29F100B2 - MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

codice articolo del costruttore

APT29F100B2

Numero parte interna

AX-APT29F100B2

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

32480 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 12.09~~

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Specifiche per APT29F100B2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APT29F100B2

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Serie : POWER MOS 8™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8500pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1040W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : T-MAX™ [B2]

Pacchetto / caso : TO-247-3 Variant

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APT , APT29

Documenti per APT29F100B2

Schede tecniche : APT29F100B2.pdf

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