FQU2N100TU - MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FQU2N100TU
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
377100 Pieces
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Specifiche per FQU2N100TU
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FQU2N100TU
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
Serie :
QFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
I-PAK
Pacchetto / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FQU2N100TU
Schede tecniche :
FQU2N100TU.pdf
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