FQU2N100TU - MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

codice articolo del costruttore

FQU2N100TU

Numero parte interna

AX-FQU2N100TU

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

377100 Pieces

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Specifiche per FQU2N100TU

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQU2N100TU

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

Serie : QFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQU , FQU2N

Documenti per FQU2N100TU

Schede tecniche : FQU2N100TU.pdf

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