SCTW90N65G2V - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

codice articolo del costruttore

SCTW90N65G2V

Numero parte interna

AX-SCTW90N65G2V

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

12424 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 36.09~~

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Specifiche per SCTW90N65G2V

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SCTW90N65G2V

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 157nC @ 18V

Vgs (massimo) : +22V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 390W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : HiP247™

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SCTW , SCTW90

Documenti per SCTW90N65G2V

Schede tecniche : SCTW90N65G2V.pdf

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