IRG8CH137K10F - IGBT CHIP WAFER

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IGBT CHIP WAFER
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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Specifiche per IRG8CH137K10F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRG8CH137K10F
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : IGBT CHIP WAFER
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo IGBT : -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 150A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 150A
Potenza - Max : -
Cambiare energia : -
Tipo di input : Standard
Carica del cancello : 820nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C : 115ns/570ns
Condizione di test : 600V, 150A, 2 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) : -
temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : Die
Pacchetto dispositivo fornitore : Die
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IRG8 , IRG8CH

Documenti per IRG8CH137K10F

Schede tecniche : IRG8CH137K10F.pdf

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