AOB412L - MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-AOB412L
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
15368 Pieces
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Specifiche per AOB412L
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AOB412L
fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Serie : SDMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.2A (Ta), 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3220pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.6W (Ta), 150W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263 (D²Pak)
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per AOB412L
Schede tecniche : AOB412L.pdf
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