IRF8302MTR1PBF - MOSFET N CH 30V 31A MX
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N CH 30V 31A MX
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
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Specifiche per IRF8302MTR1PBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF8302MTR1PBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N CH 30V 31A MX
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 31A (Ta), 190A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6030pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ MX
Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric MX
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRF8302MTR1PBF
Schede tecniche : IRF8302MTR1PBF.pdf
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