DMTH43M8LPSQ-13 - MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

codice articolo del costruttore

DMTH43M8LPSQ-13

Numero parte interna

AX-DMTH43M8LPSQ-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

756580 Pieces

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Specifiche per DMTH43M8LPSQ-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMTH43M8LPSQ-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta), 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3.367nF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.7W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI5060-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMTH4 , DMTH43M

Documenti per DMTH43M8LPSQ-13

Schede tecniche : DMTH43M8LPSQ-13.pdf

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