DMT3020LFDB-13 - MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

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MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
Stato RoHS
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Specifiche per DMT3020LFDB-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMT3020LFDB-13
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 393pF @ 15V
Potenza - Max : 700mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2020-6 (Type B)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMT3 , DMT3020

Documenti per DMT3020LFDB-13

Schede tecniche : DMT3020LFDB-13.pdf

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