PHKD13N03LT,518 - MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

codice articolo del costruttore

PHKD13N03LT,518

Numero parte interna

AX-PHKD13N03LT,518

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

27440 Pieces

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Specifiche per PHKD13N03LT,518

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PHKD13N03LT,518

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 752pF @ 15V

Potenza - Max : 3.57W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PHKD1 , PHKD13N

Documenti per PHKD13N03LT,518

Schede tecniche : PHKD13N03LT,518.pdf

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