BSZ12DN20NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

codice articolo del costruttore

BSZ12DN20NS3GATMA1

Numero parte interna

AX-BSZ12DN20NS3GATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

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895295 Pieces

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Specifiche per BSZ12DN20NS3GATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSZ12DN20NS3GATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.3A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 50W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TSDSON-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSZ12D , BSZ12DN20

Documenti per BSZ12DN20NS3GATMA1

Schede tecniche : BSZ12DN20NS3GATMA1.pdf

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