NDD05N50Z-1G - MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-NDD05N50Z-1G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9576 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per NDD05N50Z-1G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NDD05N50Z-1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
4.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
530pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
83W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
I-PAK
Pacchetto / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NDD05N50Z-1G
Schede tecniche :
NDD05N50Z-1G.pdf
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