SPB80P06PGATMA1 - MOSFET P-CH 60V 80A TO-263

codice articolo del costruttore

SPB80P06PGATMA1

Numero parte interna

AX-SPB80P06PGATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 80A TO-263

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

242925 Pieces

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Specifiche per SPB80P06PGATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SPB80P06PGATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 80A TO-263

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 64A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 173nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5033pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 340W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-3-2

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SPB80 , SPB80P0

Documenti per SPB80P06PGATMA1

Schede tecniche : SPB80P06PGATMA1.pdf

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