SE15FJ-M3/I - DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB

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DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB
Stato RoHS
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Specifiche per SE15FJ-M3/I

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SE15FJ-M3/I
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Corrente: media rettificata (Io) : 1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 1.5A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 900ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F : 10.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-219AB (SMF)
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SE1 , SE15F

Documenti per SE15FJ-M3/I

Schede tecniche : SE15FJ-M3/I.pdf

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