1N4006-G - DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

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DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 1N4006-G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 1N4006-G
fabbricante : Comchip Technology
Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Corrente: media rettificata (Io) : 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-41
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : 1N4006-G.pdf

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