FCD600N65S3R0 - SUPERFET3 650V DPAK PKG

codice articolo del costruttore

FCD600N65S3R0

Numero parte interna

AX-FCD600N65S3R0

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

SUPERFET3 650V DPAK PKG

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

823085 Pieces

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Specifiche per FCD600N65S3R0

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FCD600N65S3R0

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : SUPERFET3 650V DPAK PKG

Serie : SuperFET® III

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 465pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 54W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-PAK (TO-252)

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FCD6 , FCD600

Documenti per FCD600N65S3R0

Schede tecniche : FCD600N65S3R0.pdf

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