SQD40N06-25L-GE3 - MOSFET N-CH 60V 30A TO252

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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SQD40N06-25L-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SQD40N06-25L-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SQD40 , SQD40N06

Documenti per SQD40N06-25L-GE3

Schede tecniche : SQD40N06-25L-GE3.pdf

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