IPDH4N03LAG - MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11

codice articolo del costruttore

IPDH4N03LAG

Numero parte interna

AX-IPDH4N03LAG

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

17640 Pieces

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Specifiche per IPDH4N03LAG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPDH4N03LAG

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3200pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 94W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPD , IPDH4

Documenti per IPDH4N03LAG

Schede tecniche : IPDH4N03LAG.pdf

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