IPD60R800CEATMA1 - MOSFET N-CH 600V TO-252-3

codice articolo del costruttore

IPD60R800CEATMA1

Numero parte interna

AX-IPD60R800CEATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

21456 Pieces

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Specifiche per IPD60R800CEATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPD60R800CEATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Serie : CoolMOS™ CE

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 170µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17.2nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 373pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 48W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPD60 , IPD60R80

Documenti per IPD60R800CEATMA1

Schede tecniche : IPD60R800CEATMA1.pdf

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