CSD17313Q2T - MOSFET N-CH 30V 5A

codice articolo del costruttore

CSD17313Q2T

Numero parte interna

AX-CSD17313Q2T

fabbricante

Texas Instruments

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 5A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1309080 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per CSD17313Q2T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD17313Q2T

fabbricante : Texas Instruments

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 5A

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : +10V, -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.4W (Ta), 17W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-WSON (2x2)

Pacchetto / caso : 6-WDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per CSD17313Q2T

Schede tecniche : CSD17313Q2T.pdf

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