APTMC120TAM34CT3AG - POWER MODULE - SIC MOSFET
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
POWER MODULE - SIC MOSFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
9057 Pieces
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Specifiche per APTMC120TAM34CT3AG
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
APTMC120TAM34CT3AG
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
POWER MODULE - SIC MOSFET
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
161nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2788pF @ 1000V
Potenza - Max :
375W
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
Module
Pacchetto dispositivo fornitore :
SP3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per APTMC120TAM34CT3AG
Schede tecniche :
APTMC120TAM34CT3AG.pdf
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