SSM3K303T(TE85L,F) - MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
9752 Pieces
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Specifiche per SSM3K303T(TE85L,F)
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SSM3K303T(TE85L,F)
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
Serie :
π-MOSVII
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
83 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
3.3nC @ 4V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
180pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
700mW (Ta)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TSM
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SSM3K303T(TE85L,F)
Schede tecniche :
SSM3K303T(TE85L,F).pdf
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