RN2317(TE85L,F) - TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

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Numero parte interna
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TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per RN2317(TE85L,F)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : RN2317(TE85L,F)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) : 4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA
Frequenza - Transizione : 200MHz
Potenza - Max : 100mW
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore : USM
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per RN2317(TE85L,F)

Schede tecniche : RN2317(TE85L,F).pdf

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