IRFD123PBF - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

codice articolo del costruttore

IRFD123PBF

Numero parte interna

AX-IRFD123PBF

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

759095 Pieces

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Specifiche per IRFD123PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFD123PBF

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 780mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.3W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Pacchetto / caso : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRFD1

Documenti per IRFD123PBF

Schede tecniche : IRFD123PBF.pdf

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