IRFHM830DTR2PBF - MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

codice articolo del costruttore

IRFHM830DTR2PBF

Numero parte interna

AX-IRFHM830DTR2PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

10824 Pieces

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Specifiche per IRFHM830DTR2PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFHM830DTR2PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta), 40A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1797pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 37W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PQFN (3x3)

Pacchetto / caso : 8-VQFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFHM , IRFHM83

Documenti per IRFHM830DTR2PBF

Schede tecniche : IRFHM830DTR2PBF.pdf

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