SIDC81D60E6X1SA3 - DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

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fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SIDC81D60E6X1SA3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SIDC81D60E6X1SA3
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER
Serie : -
Stato parte : Discontinued at Digi-Key
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Corrente: media rettificata (Io) : 200A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 27µA @ 600V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : Die
Pacchetto dispositivo fornitore : Sawn on foil
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SIDC8 , SIDC81D6

Documenti per SIDC81D60E6X1SA3

Schede tecniche : SIDC81D60E6X1SA3.pdf

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