SIDC81D60E6X1SA3 - DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

codice articolo del costruttore

SIDC81D60E6X1SA3

Numero parte interna

AX-SIDC81D60E6X1SA3

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5440 Pieces

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Specifiche per SIDC81D60E6X1SA3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIDC81D60E6X1SA3

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Serie : -

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 200A (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 27µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : Die

Pacchetto dispositivo fornitore : Sawn on foil

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIDC8 , SIDC81D6

Documenti per SIDC81D60E6X1SA3

Schede tecniche : SIDC81D60E6X1SA3.pdf

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