IRFU120Z - MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRFU120Z
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
66615 Pieces
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Specifiche per IRFU120Z
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRFU120Z
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 35W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : IPAK (TO-251)
Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRFU120Z
Schede tecniche : IRFU120Z.pdf
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