SSM6N7002BFE,LM - MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
8471140 Pieces
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Specifiche per SSM6N7002BFE,LM
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SSM6N7002BFE,LM
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
17pF @ 25V
Potenza - Max :
150mW
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore :
ES6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SSM6N7002BFE,LM
Schede tecniche :
SSM6N7002BFE,LM.pdf
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