DMN2019UTS-13 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per DMN2019UTS-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMN2019UTS-13
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 143pF @ 10V
Potenza - Max : 780mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSSOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMN2 , DMN201

Documenti per DMN2019UTS-13

Schede tecniche : DMN2019UTS-13.pdf

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