SI1300BDL-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3

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MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
Stato RoHS
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Specifiche per SI1300BDL-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI1300BDL-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 400mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 250mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.84nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 35pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 190mW (Ta), 200mW (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SC-70-3
Pacchetto / caso : SC-70, SOT-323
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI130 , SI1300BD

Documenti per SI1300BDL-T1-GE3

Schede tecniche : SI1300BDL-T1-GE3.pdf

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