IAUC120N04S6N009ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

codice articolo del costruttore

IAUC120N04S6N009ATMA1

Numero parte interna

AX-IAUC120N04S6N009ATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

362120 Pieces

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Specifiche per IAUC120N04S6N009ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IAUC120N04S6N009ATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.9 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7360pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 150W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IAUC120 , IAUC120N04

Documenti per IAUC120N04S6N009ATMA1

Schede tecniche : IAUC120N04S6N009ATMA1.pdf

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