IDC21D120T6MX1SA2 - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

codice articolo del costruttore

IDC21D120T6MX1SA2

Numero parte interna

AX-IDC21D120T6MX1SA2

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

132840 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 2.112~~

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Specifiche per IDC21D120T6MX1SA2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IDC21D120T6MX1SA2

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V

Corrente: media rettificata (Io) : 35A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.05V @ 35A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 7.7µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : Die

Pacchetto dispositivo fornitore : Sawn on foil

Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IDC21 , IDC21D12

Documenti per IDC21D120T6MX1SA2

Schede tecniche : IDC21D120T6MX1SA2.pdf

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