SIA447DJ-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SIA447DJ-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SIA447DJ-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 8V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2880pF @ 6V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SIA44 , SIA447D

Documenti per SIA447DJ-T1-GE3

Schede tecniche : SIA447DJ-T1-GE3.pdf

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