IPD60R600P7ATMA1 - MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
814260 Pieces
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Specifiche per IPD60R600P7ATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPD60R600P7ATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Serie :
CoolMOS™ P7
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
363pF @ 400V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
30W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TO252-3
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPD60R600P7ATMA1
Schede tecniche :
IPD60R600P7ATMA1.pdf
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