APT9F100B - MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-APT9F100B
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
83750 Pieces
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Specifiche per APT9F100B
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APT9F100B
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Serie : POWER MOS 8™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2606pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 337W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247 [B]
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per APT9F100B
Schede tecniche : APT9F100B.pdf
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