BUK9Y8R7-60E,115 - MOSFET N-CH 60V LFPAK
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V LFPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1044580 Pieces
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Specifiche per BUK9Y8R7-60E,115
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BUK9Y8R7-60E,115
fabbricante :
Nexperia USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V LFPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
86A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4570pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
147W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso :
SC-100, SOT-669
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BUK9Y8R7-60E,115
Schede tecniche :
BUK9Y8R7-60E,115.pdf
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