SISH112DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

codice articolo del costruttore

SISH112DN-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SISH112DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

663080 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.42312~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha SISH112DN-T1-GE3 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per SISH112DN-T1-GE3. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per SISH112DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SISH112DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.3A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2610pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8SH

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8SH

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SISH1 , SISH112D

Documenti per SISH112DN-T1-GE3

Schede tecniche : SISH112DN-T1-GE3.pdf

Prodotti correlati per SISH112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numero parte	Marca	Descrizione
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3300PF 100V BX 0805.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
FPE210WV15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3000PF 50V BP 1210.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV AXIAL.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.