PHKD3NQ10T,518 - MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
29029 Pieces
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Specifiche per PHKD3NQ10T,518
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PHKD3NQ10T,518
fabbricante :
Nexperia USA Inc.
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
633pF @ 20V
Potenza - Max :
2W
temperatura di esercizio :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PHKD3NQ10T,518
Schede tecniche :
PHKD3NQ10T,518.pdf
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