IPD50R950CEBTMA1 - MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
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MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IPD50R950CEBTMA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPD50R950CEBTMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
Serie : CoolMOS™
Stato parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 231pF @ 100V
Caratteristica FET : Super Junction
Dissipazione di potenza (max) : 34W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IPD50R950CEBTMA1
Schede tecniche : IPD50R950CEBTMA1.pdf
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