PMGD175XN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
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Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per PMGD175XN,115
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : PMGD175XN,115
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 900mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 15V
Potenza - Max : 390mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSSOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per PMGD175XN,115
Schede tecniche : PMGD175XN,115.pdf
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