IPL65R660E6AUMA1 - MOSFET N-CH 4VSON

codice articolo del costruttore

IPL65R660E6AUMA1

Numero parte interna

AX-IPL65R660E6AUMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 4VSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

23296 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IPL65R660E6AUMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPL65R660E6AUMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 4VSON

Serie : CoolMOS™ E6

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 63W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : Thin-Pak (8x8)

Pacchetto / caso : 4-PowerTSFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPL65 , IPL65R66

Documenti per IPL65R660E6AUMA1

Schede tecniche : IPL65R660E6AUMA1.pdf

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