IRF610PBF - MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF610PBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
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Specifiche per IRF610PBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF610PBF
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 36W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRF610PBF
Schede tecniche : IRF610PBF.pdf
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