M474A1G43EB1-CPB - DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
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Breve descrizione
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per M474A1G43EB1-CPB
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : M474A1G43EB1-CPB
fabbricante : Samsung Semiconductor
Descrizione : DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
Serie : DDR3
DDR : DDR4
Dimm Tipo : ECC SODIMM
Densità : 8 GB
Classifica x Org. : 2R x 8
Velocità : 2133 Mbps
Voltaggio : 1.2 V
Numero Pin : 260
Composizione componente : (512M x 8) x 18
Stato prodotto : EOL
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per M474A1G43EB1-CPB
Schede tecniche : M474A1G43EB1-CPB.pdf
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