IPP100N06S3-03 - MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

codice articolo del costruttore

IPP100N06S3-03

Numero parte interna

AX-IPP100N06S3-03

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9067 Pieces

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Specifiche per IPP100N06S3-03

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPP100N06S3-03

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 230µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 480nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 21620pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3-1

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPP1 , IPP100N

Documenti per IPP100N06S3-03

Schede tecniche : IPP100N06S3-03.pdf

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