BSZ900N15NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

codice articolo del costruttore

BSZ900N15NS3GATMA1

Numero parte interna

AX-BSZ900N15NS3GATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

936480 Pieces

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Specifiche per BSZ900N15NS3GATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSZ900N15NS3GATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 75V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 38W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TSDSON-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSZ900 , BSZ900N15

Documenti per BSZ900N15NS3GATMA1

Schede tecniche : BSZ900N15NS3GATMA1.pdf

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