DMN62D0LFD-7 - MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-DMN62D0LFD-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
7730315 Pieces
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Specifiche per DMN62D0LFD-7
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
DMN62D0LFD-7
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
310mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
500nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
31pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
480mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
X1-DFN1212-3
Pacchetto / caso :
3-UDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per DMN62D0LFD-7
Schede tecniche :
DMN62D0LFD-7.pdf
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