FDMD86100 - MOSFET 2N-CH 100V
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDMD86100
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 100V
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
303445 Pieces
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Specifiche per FDMD86100
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDMD86100
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 100V
Serie :
PowerTrench®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2060pF @ 50V
Potenza - Max :
2.2W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-Power 5x6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDMD86100
Schede tecniche :
FDMD86100.pdf
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